Bipolartransistor FJA4313O

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJA4313O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 17 A
  • Verlustleistung, max: 130 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des FJA4313O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJA4313O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJA4313 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des FJA4313R im Bereich von 55 bis 100.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum FJA4313O ist der FJA4213O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJA4313O

Sie können den Transistor FJA4313O durch einen 2SC5242, 2SC5242O, 2SD1313, FJL4315 oder FJL4315O ersetzen.
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