Bipolartransistor BUX83
Elektrische Eigenschaften des Transistors BUX83
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 1000 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
- Verlustleistung, max: 75 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30
- Übergangsfrequenz, min: 6 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des BUX83
Ersatz und Äquivalent für Transistor BUX83
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