Bipolartransistor BDX33

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX33

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 70 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDX33

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BDX33 equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX33 ist der BDX34.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX33

Sie können den Transistor BDX33 durch einen 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, 2SD1192, 2SD1827, BDT63, BDT63A, BDT65, BDT65A, BDW39, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW93, BDW93A, BDW93B, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, TIP140T oder TIP141T ersetzen.
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