Bipolartransistor BD675

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD675

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD675

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BD675 equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD675 ist der BD676.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD675

Sie können den Transistor BD675 durch einen 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, BD675A, BD675AG, BD675G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD775, BD777, BD779, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.

Bleifreie Version

Der BD675G-Transistor ist die bleifreie Version des BD675.
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