Bipolartransistor BD675
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD675
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD675
Equivalent circuit
![BD675 equivalent circuit](/images/bipolar-transistor/bd675-equivalent-circuit.jpg)
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD675
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