Bipolartransistor BC856AW

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 110 bis 220
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-323

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC856AW kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC856BW liegt im Bereich von 200 bis 450, die des BC856CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC856W im Bereich von 110 bis 800.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC856AW ist der BC846AW.