Bipolartransistor BC849

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC849

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC849

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC849 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC849A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC849B im Bereich von 200 bis 450, die des BC849C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC849 ist der BC859.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC849

Sie können den Transistor BC849 durch einen 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, BC847, BC848, BC850, FMMT619, FMMTA05, KST05, MMBTA05 oder SMBTA05 ersetzen.
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