Bipolartransistor BC807-40W

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC807-40W

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323
  • Electrically Similar to the Popular BC327-40 transistor

Pinbelegung des BC807-40W

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC807-40W kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC807-16W liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BC807-25W im Bereich von 160 bis 400, die des BC807W im Bereich von 100 bis 600.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC807-40W ist der BC817-40W.

Transistor BC807-40W im TO-92-Gehäuse

Der BC327-40 ist die TO-92-Version des BC807-40W.
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