Bipolartransistor BC546B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC546B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 65 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC546B

Der BC546B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC546B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC546 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC546A im Bereich von 110 bis 220, die des BC546C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC546B ist der BC556B.

SMD-Version des Transistors BC546B

Der BC846 (SOT-23), BC846B (SOT-23), BC846BW (SOT-323) und BC846W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC546B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC546B

Sie können den Transistor BC546B durch einen BC447, BC447B, BC449 oder BC449B ersetzen.
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