Elektrische Eigenschaften des Transistors BC537-10
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des BC537-10
Der BC537-10 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor BC537-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC537 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des BC537-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BC537-25 im Bereich von 160 bis 400, die des BC537-6 im Bereich von 40 bis 100.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum BC537-10 ist der BC527-10.
