Bipolartransistor BC317

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC317

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.31 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC317

Der BC317 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC317 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC317A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC317B im Bereich von 200 bis 450, die des BC317C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC317 ist der BC320.

SMD-Version des Transistors BC317

Der BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23) und BC860W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC317-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC317

Sie können den Transistor BC317 durch einen BC320, KSP55, KSP56, KTC9015, MPS751, MPS751G, MPSA55, MPSA55G, MPSA56, MPSA56G, MPSW55, MPSW55G, MPSW56 oder MPSW56G ersetzen.
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