Bipolartransistor BC169

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.3 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 110 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
• Rauschzahl, max: 1.5 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC169 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC169 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC169A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC169B im Bereich von 200 bis 450, die des BC169C im Bereich von 420 bis 800.Der komplementäre PNP-Transistor zum BC169 ist der BC259.Der MMBTH10 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC169-Transistors.Sie können den Transistor BC169 durch einen 2N3394 oder BC168 ersetzen.