Bipolartransistor 2SD845-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD845-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 110
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: MT-200

Pinbelegung des 2SD845-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD845-R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 110 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD845 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SD845-O im Bereich von 80 bis 160.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD845-R-Transistor könnte nur mit "D845-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD845-R ist der 2SB755-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD845-R

Sie können den Transistor 2SD845-R durch einen 2SC2565, 2SC2565-R, 2SC2773, 2SC2774, 2SC2838, 2SC2921, 2SC2922, 2SC3264, 2SC3857 oder 2SC3858 ersetzen.
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