Bipolartransistor 2SD826-E

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 120 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD826-E kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD826 liegt im Bereich von 120 bis 560, die des 2SD826-F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD826-G im Bereich von 280 bis 560.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD826-E-Transistor könnte nur mit "D826-E" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SD826-E durch einen 2SD1685 oder 2SD1685-E ersetzen.