Bipolartransistor 2SD756

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD756

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 350 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SD756

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD756 kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD756-D liegt im Bereich von 250 bis 500, die des 2SD756-E im Bereich von 400 bis 800.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD756-Transistor könnte nur mit "D756" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD756 ist der 2SB716.

SMD-Version des Transistors 2SD756

Der 2SC1622A (SOT-23) und FJV1845 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SD756-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD756

Sie können den Transistor 2SD756 durch einen 2SC1841, 2SC1845, 2SC1890A, 2SC2326K, 2SC2544, 2SC2547, 2SC2784, 2SC3245, 2SC3245A oder KSC1845 ersetzen.
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