Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD427-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2SD427-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD427-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD427 liegt im Bereich von 40 bis 140, die des 2SD427-R im Bereich von 40 bis 80.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD427-O-Transistor könnte nur mit "D427-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD427-O ist der 2SB557-O.
