Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD401A-M
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD401A-M
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD401A-M kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD401A liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SD401A-K im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD401A-L im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD401A-M-Transistor könnte nur mit "D401A-M" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD401A-M ist der 2SB546A-M.
