Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD325-D
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 35 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 8 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD325-D
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD325-D kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD325 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SD325-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SD325-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD325-F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD325-D-Transistor könnte nur mit "D325-D" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD325-D ist der 2SB511-D.
