Bipolartransistor 2SD2396-H

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 400 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD2396-H kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2396 liegt im Bereich von 400 bis 2000, die des 2SD2396-J im Bereich von 600 bis 1200, die des 2SD2396-K im Bereich von 1000 bis 2000.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2396-H-Transistor könnte nur mit "D2396-H" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SD2396-H durch einen 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, MJE15028, MJE15028G, TIP41D oder TIP42D ersetzen.