Bipolartransistor 2SD2280-Q
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2280-Q
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
- Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3PF
Pinbelegung des 2SD2280-Q
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD2280-Q
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