Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1913R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD1913R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1913R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1913 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SD1913Q im Bereich von 70 bis 120, die des 2SD1913S im Bereich von 140 bis 280.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1913R-Transistor könnte nur mit "D1913R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1913R ist der 2SB1274R.
SMD-Version des Transistors 2SD1913R
Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1913R-Transistors.