Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1762F
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1762F
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1762F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1762 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD1762D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1762E im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1762F-Transistor könnte nur mit "D1762F" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1762F ist der 2SB1185F.
SMD-Version des Transistors 2SD1762F
Der 2SD1623 (SOT-89), 2SD1624 (SOT-89) und BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1762F-Transistors.