Bipolartransistor 2SD1626

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1626

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 4000
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SD1626

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der 2SD1626-Transistor ist als "DI" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1626 ist der 2SB1126.

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