Bipolartransistor 2SD1444A-P

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 130 bis 260
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1444A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1444A liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD1444A-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SD1444A-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1444A-P-Transistor könnte nur mit "D1444A-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1444A-P ist der 2SB953A-P.Sie können den Transistor 2SD1444A-P durch einen 2SC3254, 2SC3255, 2SC3747, 2SC3748, 2SC4550, 2SC4551, 2SC4552, 2SD1061, 2SD1062, 2SD1271, 2SD1271-P, 2SD1445A, 2SD1445A-P, 2SD1668, 2SD1669, 2SD866, 2SD866-P, BD201, BD203, BD301, BD303, BD533, BD535, BD537, BD543, BD543A, BD543B, BD545, BD545A, BD545B, BD795, BD797, BD799, BD807, BD809, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDX77, D44H11, D44H11FP oder D44H8 ersetzen.