Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1288-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
Verlustleistung, max: 70 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 55 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SD1288-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1288-P kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1288 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD1288-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1288-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1288-P-Transistor könnte nur mit "D1288-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1288-P ist der 2SB965-P.
