Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1255-Q
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-252
Pinbelegung des 2SD1255-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1255-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1255 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD1255-P im Bereich von 130 bis 260, die des 2SD1255-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1255-Q-Transistor könnte nur mit "D1255-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1255-Q ist der 2SB932-Q.
