Bipolartransistor 2SD1235-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1235-Q

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD1235-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1235-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1235 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SD1235-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1235-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1235-Q-Transistor könnte nur mit "D1235-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1235-Q ist der 2SB919-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1235-Q

Sie können den Transistor 2SD1235-Q durch einen 2N6486, 2N6486G, 2N6487, 2N6487G, 2SC3255, 2SC3255-Q, 2SC3345, 2SC3345-O, 2SC3709, 2SC3709-O, 2SC3709A, 2SC3709A-O, 2SC3748, 2SC3748-Q, 2SD1062, 2SD1062-Q, 2SD1212, 2SD1212-Q, 2SD1669, 2SD1669-Q, BD201, BD203, BD301, BD303, BD533, BD535, BD543, BD543A, BD545, BD545A, BD705, BD707, BD743, BD743A, BD795, BD797, BD807, BD905, BD907, BDT81, BDT81F, BDT91, BDT91F oder D44H8 ersetzen.
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