Bipolartransistor 2SD1221-GR

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1221-GR

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SD1221-GR

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1221-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1221 liegt im Bereich von 60 bis 300, die des 2SD1221-O im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1221-Y im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1221-GR-Transistor könnte nur mit "D1221-GR" gekennzeichnet sein.

SMD-Version des Transistors 2SD1221-GR

Der BDP949 (SOT-223) und FZT692B (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1221-GR-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1221-GR

Sie können den Transistor 2SD1221-GR durch einen KTC2020D oder KTC2020D-GR ersetzen.
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