Bipolartransistor 2SD1061-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1061-S

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 140 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD1061-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1061-S kann eine Gleichstromverstärkung von 140 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1061 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SD1061-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD1061-R im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1061-S-Transistor könnte nur mit "D1061-S" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1061-S ist der 2SB825-S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1061-S

Sie können den Transistor 2SD1061-S durch einen 2SC3254, 2SC3254-S, 2SC3255, 2SC3255-S, 2SC3747, 2SC3747-S, 2SC3748, 2SC3748-S, 2SC4550, 2SC4551, 2SC4552, 2SD1062, 2SD1062-S, 2SD1668, 2SD1668-S, 2SD1669, 2SD1669-S, BD203, BD303, BD535, BD537, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDX77, D44H11, D44H11FP oder D44H8 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com