Bipolartransistor 2SC512-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC512-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2SC512-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC512-O kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC512 liegt im Bereich von 30 bis 150, die des 2SC512-R im Bereich von 30 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC512-O-Transistor könnte nur mit "C512-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC512-O ist der 2SA512-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC512-O

Sie können den Transistor 2SC512-O durch einen 2N5320, 2N5321, 2N5334, 2N5335, 2SC510 oder 2SC510-O ersetzen.
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