Bipolartransistor 2SC503-GR

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC503-GR

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
  • Verlustleistung, max: 6 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2SC503-GR

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC503-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC503 liegt im Bereich von 30 bis 300, die des 2SC503-O im Bereich von 50 bis 150, die des 2SC503-R im Bereich von 30 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC503-GR-Transistor könnte nur mit "C503-GR" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC503-GR ist der 2SA503-GR.

SMD-Version des Transistors 2SC503-GR

Der 2SC3438 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SC503-GR-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC503-GR

Sie können den Transistor 2SC503-GR durch einen 2N3019 oder 2N4033 ersetzen.
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