Bipolartransistor 2SC495

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC495

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SC495

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC495 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC495-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SC495-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SC495-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC495-Transistor könnte nur mit "C495" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC495 ist der 2SA496.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC495

Sie können den Transistor 2SC495 durch einen 2SC496, BD131, BD135, BD135G, BD137, BD137G, BD165, BD167, BD175, BD177, BD185, BD187, BD189, BD226, BD228, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD375, BD377, BD785, BD787, BD787G, MJE222, MJE225, MJE520, MJE521, MJE521G, MJE720 oder MJE721 ersetzen.
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