Bipolartransistor 2SC4497-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC4497-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 90
  • Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SC4497-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC4497-R kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 90 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC4497 liegt im Bereich von 30 bis 150, die des 2SC4497-O im Bereich von 50 bis 150.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC4497-R-Transistor könnte nur mit "C4497-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC4497-R ist der 2SA1721-R.
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