Bipolartransistor 2SC2752M

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2752M

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 40
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SC2752M

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2752M kann eine Gleichstromverstärkung von 20 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2752 liegt im Bereich von 20 bis 80, die des 2SC2752K im Bereich von 40 bis 80, die des 2SC2752L im Bereich von 30 bis 60.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2752M-Transistor könnte nur mit "C2752M" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2752M

Sie können den Transistor 2SC2752M durch einen 2SC2899, KSC2752, KSC2752R, KSE13003, KSE5020 oder KSE5020-O ersetzen.
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