Bipolartransistor 2SC2336-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2336-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 95 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SC2336-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2336-P kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2336 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SC2336-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SC2336-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2336-P-Transistor könnte nur mit "C2336-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2336-P ist der 2SA1006-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2336-P

Sie können den Transistor 2SC2336-P durch einen 2SC2336A, 2SC2336A-P, 2SC2336B, 2SC2336B-P, 2SC4382, 2SC5171, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, MJE15032, MJE15032G, MJE15034, MJE15034G, TIP150 oder TIP151 ersetzen.
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