Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC200-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC200-O
Der 2SC200-O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC200-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC200 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SC200-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC200-O-Transistor könnte nur mit "C200-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC200-O ist der 2SA200-O.
