Bipolartransistor 2SC1115
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1115
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
- Verlustleistung, max: 100 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2SC1115
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC1115
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