Bipolartransistor 2SC1115

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1115

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SC1115

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1115-Transistor könnte nur mit "C1115" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC1115

Sie können den Transistor 2SC1115 durch einen 2N6472, 2SC1343, 2SC1584, BD315, BD317, KD503, MJ15001, MJ15001G, MJ15003 oder MJ15003G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com