Bipolartransistor 2SC1096-L

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1096-L

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 65 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-202

Pinbelegung des 2SC1096-L

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC1096-L kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1096 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SC1096-K im Bereich von 120 bis 250, die des 2SC1096-M im Bereich von 50 bis 100, die des 2SC1096-N im Bereich von 40 bis 60.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1096-L-Transistor könnte nur mit "C1096-L" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1096-L ist der 2SA634-L.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC1096-L

Sie können den Transistor 2SC1096-L durch einen 2SC1098, 2SC1098-L, 2SC1098A, 2SC1098A-L, 2SC1226, 2SC1226-Q, 2SC1226A oder 2SC1226A-Q ersetzen.
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