Bipolartransistor 2SB947A-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB947A-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB947A-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB947A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB947A liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SB947A-P im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB947A-Q im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB947A-R-Transistor könnte nur mit "B947A-R" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB947A-R

Sie können den Transistor 2SB947A-R durch einen 2N6489, 2N6489G, 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, 2SB948A, 2SB948A-R, BD546, BD546A, BD546B, BD706, BD708, BD710, BD744, BD744A, BD744B, BD808, BD810, BD906, BD908, BD910, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, D45H11, D45H11FP oder D45H8 ersetzen.
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