Bipolartransistor 2SB931-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB931-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SB931-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB931-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB931 liegt im Bereich von 90 bis 260, die des 2SB931-P im Bereich von 130 bis 260.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB931-Q-Transistor könnte nur mit "B931-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB931-Q ist der 2SD1254-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB931-Q

Sie können den Transistor 2SB931-Q durch einen 2SB929A, 2SB930A, 2SB932, 2SB932-Q, 2SB933, 2SB933-Q, 2SB934, 2SB934-Q oder KTA1042D ersetzen.
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