Bipolartransistor 2SB919-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB919-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB919-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB919-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB919 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB919-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB919-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB919-R-Transistor könnte nur mit "B919-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB919-R ist der 2SD1235-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB919-R

Sie können den Transistor 2SB919-R durch einen 2SA1291, 2SA1291-R, 2SA1328, 2SA1451, 2SA1451A, 2SA1471, 2SA1471-R, 2SA1743, 2SA1743-M, 2SA1744, 2SA1744-M, 2SB1136, 2SB1136-R, 2SB826, 2SB826-R, 2SB903, 2SB903-R, 2SB947A, 2SB948A, BD202, BD204, BD302, BD304, BD534, BD536, BD544, BD544A, BD546, BD546A, BD796, BD798, BD808, BDT82, BDT82F, BDT92, BDT92F oder D45H8 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com