Bipolartransistor 2SB906-O

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 9 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB906-O kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB906 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB906-Y im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB906-O-Transistor könnte nur mit "B906-O" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB906-O ist der 2SD1221-O.