Bipolartransistor 2SB775

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB775

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -85 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 18 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SB775

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB775 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB775-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB775-E im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB775-Transistor könnte nur mit "B775" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB775 ist der 2SD895.

SMD-Version des Transistors 2SB775

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB775-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB775

Sie können den Transistor 2SB775 durch einen 2SA1093, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1633, 2SA1788, 2SB1162, 2SB1361, 2SB1362, 2SB695, 2SB816, 2SB817, 2SB965, 2SB966, BD246C, BD250C, BDV96, KTB817, KTB817B oder TIP36CA ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com