Bipolartransistor 2SB768-M

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB768-M kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB768 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB768-K im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB768-L im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB768-M-Transistor könnte nur mit "B768-M" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB768-M ist der 2SD1033-M.