Bipolartransistor 2SB766-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB766-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SB766-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB766-R kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB766 liegt im Bereich von 85 bis 340, die des 2SB766-Q im Bereich von 85 bis 170, die des 2SB766-S im Bereich von 170 bis 340.

Kennzeichnung

Der 2SB766-R-Transistor ist als "AR" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB766-R ist der 2SD874-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB766-R

Sie können den Transistor 2SB766-R durch einen 2DA1213, 2DA1213Y, 2SA1203, 2SA1213, 2SA1213-Y, 2SB1121, 2SB1122, 2SB1123, 2SB1124, 2SB766A, 2SB766A-R, 2STF2550, BCX51, BCX51-16 oder KTA1663 ersetzen.
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