Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB726-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 360
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SB726-R
Der 2SB726-R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB726-R kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 360 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB726 liegt im Bereich von 180 bis 700, die des 2SB726-S im Bereich von 260 bis 520, die des 2SB726-T im Bereich von 360 bis 700.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB726-R-Transistor könnte nur mit "B726-R" gekennzeichnet sein.
