Bipolartransistor 2SB562

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB562

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 350 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SB562

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB562 kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB562-B liegt im Bereich von 85 bis 170, die des 2SB562-C im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB562-Transistor könnte nur mit "B562" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB562 ist der 2SD468.

SMD-Version des Transistors 2SB562

Der 2SB766 (SOT-89), BCP69 (SOT-223) und BCX69 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB562-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB562

Sie können den Transistor 2SB562 durch einen 2N4954, 2SA1534, 2SA683, 2SB598, 2SB621, 2SB621A, KSB564AC, KSB811 oder KTA1283 ersetzen.
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