Bipolartransistor 2SB544G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB544G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 280 bis 560
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB544G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB544G kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB544 liegt im Bereich von 60 bis 560, die des 2SB544D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB544E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB544F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB544G-Transistor könnte nur mit "B544G" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB544G ist der 2SD400G.

SMD-Version des Transistors 2SB544G

Der BC808 (SOT-23), BC808-40 (SOT-23), BC808-40W (SOT-323) und BC808W (SOT-323) ist die SMD-Version des 2SB544G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB544G

Sie können den Transistor 2SB544G durch einen BD202, BD240, BD242, BD244, BD302, BD534, BD540, BD544, BD546, BD734, BD736, BD738, BD796, BDT30, D44C1, D44C2, D44C3, D44C4, D44C5, D44C6, D45C1, D45C2, D45C3, D45C4, D45C5 oder D45C6 ersetzen.
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