Bipolartransistor 2SB1625-O

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -110 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -110 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
• Verlustleistung, max: 60 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 5000 bis 12000
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1625-O kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 12000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1625 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SB1625-P im Bereich von 6500 bis 20000, die des 2SB1625-Y im Bereich von 15000 bis 30000.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1625-O-Transistor könnte nur mit "B1625-O" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1625-O ist der 2SD2494-O.Sie können den Transistor 2SB1625-O durch einen 2SB1253, 2SB1253-P, 2SB1254, 2SB1254-P, 2SB1255 oder 2SB1255-P ersetzen.