Bipolartransistor 2SB1559-P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 6500 bis 20000
• Übergangsfrequenz, min: 65 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1559-P kann eine Gleichstromverstärkung von 6500 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1559 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SB1559-O im Bereich von 5000 bis 12000, die des 2SB1559-Y im Bereich von 15000 bis 30000.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1559-P-Transistor könnte nur mit "B1559-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1559-P ist der 2SD2389-P.Sie können den Transistor 2SB1559-P durch einen 2SB1560, 2SB1560-P oder BDV66D ersetzen.