Bipolartransistor 2SB1511

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1511

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -20 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SB1511

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1511 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1511-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1511-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1511-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1511-Transistor könnte nur mit "B1511" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1511 ist der 2SD2285.
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